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場效應晶體管

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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。

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場效應晶體管資訊

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德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN F...

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隧穿場效應晶體管是什么_隧穿場效應晶體管的介紹

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2018-01-03 標簽：晶體管場效應晶體管 3.3萬 0

有機場效應晶體管工作原理和主要性能指標

有機場效應晶體管（organic fieldeffect tran-sisbor，OFET）因具有以下幾個突出特點而受到研究人員的極大重視：材料來源廣、...

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有機場效應晶體管是什么_有機場效應晶體管介紹

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2017-12-20 標簽：場效應晶體管 1.5萬 0

MOS管被擊穿的解決方案

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體...

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　　EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅(qū)動器的組合所能達到的優(yōu)異性能。

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2012-02-02 標簽：晶體管場效應晶體管 2.2萬 1

MOS管技術:電源應用中場效應晶體管的崩潰效應

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