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      標(biāo)簽　>　晶體硅

      晶體硅

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      晶體硅技術(shù)

      單晶硅、多晶硅和非晶等幾種硅基太陽(yáng)能電池的介紹

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      根據(jù)硅片厚度的不同，可分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜硅太陽(yáng)能電池兩大類。本文主要論述以下幾種硅基太陽(yáng)能電池的基本原理：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池，多晶硅太陽(yáng)能電池，多...

      2017-05-09 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池晶體硅 2.6萬(wàn) 0

      四種薄膜太陽(yáng)能電池的詳細(xì)資料介紹

      雖然太陽(yáng)能電池在生活中十分常見，如美團(tuán)單車上的太陽(yáng)能電池、路燈太陽(yáng)能電池，但是大家對(duì)太陽(yáng)能電池真的了解嗎？在本文中，為增進(jìn)大家對(duì)太陽(yáng)能電池的認(rèn)識(shí)，小編將...

      2020-11-28 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體晶體硅 1.4萬(wàn) 0

      分別說(shuō)說(shuō)VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)

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      MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培，漏源電壓可以達(dá)到100V以上，但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn)，使得MOSFET在功率上有很...

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      晶體硅太陽(yáng)能電池在未來(lái)一段時(shí)期內(nèi)仍將占據(jù)主導(dǎo)地位

      太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率受到光吸收、載流子輸運(yùn)、載流子收集的限制。對(duì)于單晶硅硅太陽(yáng)能電池，由于上光子帶隙的多余能量透射給下帶隙的光子，其轉(zhuǎn)換效率的理論最高值是...

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      金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點(diǎn)怎么比較

      金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個(gè)...

      2024-08-08 標(biāo)簽：晶體硅金剛石電導(dǎo)率 4907 0

      【深入淺出】晶體硅電池發(fā)電原理

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      天天討論光伏發(fā)電，你知道太陽(yáng)能電池發(fā)電的原理嗎？本文分別用文字形式，介紹了晶硅太陽(yáng)能電池的發(fā)電原理。屬于科普級(jí)別，非常通俗易懂。

      2016-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體硅電池 4043 0

      碳化硅和晶體硅誰(shuí)的熔點(diǎn)高

      1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較，碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來(lái)說(shuō)，碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃，并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃（也有資料...

      2024-08-08 標(biāo)簽：金屬晶體硅碳化硅 3904 0

      關(guān)于晶體硅太陽(yáng)能電池單面濕法化學(xué)拋光的方法

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      引言 高效太陽(yáng)能電池需要對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行單獨(dú)處理。在現(xiàn)有技術(shù)中，電池的兩面都被紋理化，導(dǎo)致表面相當(dāng)粗糙，這對(duì)背面是不利的。因此，在紋理化后直接引入...

      2022-01-12 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 3440 0

      晶體硅為什么可以做半導(dǎo)體材料

      晶體硅之所以能夠成為半導(dǎo)體材料的首選，主要得益于其一系列獨(dú)特的物理、化學(xué)和工藝特性。 一、資源豐富與成本效益 首先，硅是地球上第二豐富的元素，廣泛存在于...

      2024-09-21 標(biāo)簽：晶體半導(dǎo)體材料晶體硅 2964 0

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      單晶硅缺陷的分析

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      晶體硅中的雜質(zhì)或缺陷會(huì)顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規(guī)化學(xué)腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯(cuò)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)缺陷分布的一般規(guī)律：中間尺寸大，密...

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      2012-10-29 標(biāo)簽：IBM碳納米管晶體硅 8133 4

      晶體硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究

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      用打孔方式讓太陽(yáng)能電池的晶體硅變得透明

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      松下開發(fā)出轉(zhuǎn)換效率達(dá)24.7％的晶體硅太陽(yáng)能電池

      松下開發(fā)的面積超過(guò)100cm2的實(shí)用級(jí)別晶體硅太陽(yáng)能電池單元實(shí)現(xiàn)了24.7％這一世界最高的單元轉(zhuǎn)換效率，比美國(guó)SunPower公司2010年達(dá)成的24....

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      基于銅復(fù)合電解質(zhì)的染料敏化太陽(yáng)能電池

      他說(shuō)：“一旦你能進(jìn)入市場(chǎng)，你所學(xué)到的東西就和你在實(shí)驗(yàn)室所學(xué)到的完全不同了?！?/p>

      2020-06-11 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池互聯(lián)網(wǎng)晶體硅 1999 0

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        四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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