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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱(chēng)作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類(lèi)高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)百億晶體管需要通過(guò)比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。當(dāng)制程進(jìn)入130納米節(jié)點(diǎn)時(shí),傳統(tǒng)鋁互連已無(wú)法滿足需求——而銅(Cu) 的引入,如同...
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑...
在CMOS電路中,存在寄生的PNP和NPN晶體管,它們相互影響在VDD與GND間產(chǎn)生一低阻通路,形成大電流,燒壞芯片,這就是閂鎖效應(yīng),簡(jiǎn)稱(chēng)latch-up。
當(dāng)晶體管柵長(zhǎng)縮至20納米以下,源漏極間可能形成隱秘的電流通道,導(dǎo)致晶體管無(wú)法關(guān)閉。而暈環(huán)注入(Halo Implant) 技術(shù),正是工程師們?cè)O(shè)計(jì)的原子級(jí)...
Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. EVAL-A4098-1HUJZ評(píng)估板用于評(píng)估ADA4098-1 6引腳、薄型小外形晶體管 (TSOT)、穩(wěn)健的...
2025-07-01 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器晶體管Analog 138 0
東芝半導(dǎo)體微波爐電路設(shè)計(jì)解決方案
用戶對(duì)微波爐產(chǎn)品的期望值可謂日益提高,例如智能化,用戶期望微波爐能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制、語(yǔ)音操作、智能菜譜推薦等;多功能,微波爐不僅需要具備基本的加熱功能,還...
2025-06-28 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)晶體管 1209 0
如何利用示波器測(cè)量開(kāi)關(guān)電源死區(qū)時(shí)間
在當(dāng)今復(fù)雜而精密的電子技術(shù)領(lǐng)域,開(kāi)關(guān)電源作為眾多電子設(shè)備的核心供電組件,其性能與穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而,在實(shí)際的研發(fā)、生產(chǎn)及應(yīng)用過(guò)程中,我們時(shí)常會(huì)面臨一個(gè)...
2025-06-27 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源示波器晶體管 835 0
mos管用作開(kāi)關(guān)時(shí)的連接方法
本文解析了MOS管作為開(kāi)關(guān)的正確連接方法,包括其基本原理和連接技巧。通過(guò)比較NMOS和PMOS的接法差異,工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對(duì)導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
我們通過(guò)仿真電路來(lái)模擬上一期介紹的開(kāi)關(guān)電路,對(duì)實(shí)際設(shè)計(jì)有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例,以不同的輸入端頻率進(jìn)行仿真測(cè)試。首先,Vc...
2025-06-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路光耦晶體管 113 0
ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動(dòng)器英文手冊(cè)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-04-17 標(biāo)簽:晶體管達(dá)林頓晶體管
SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹立即下載
類(lèi)別:工控技術(shù) 2025-04-16 標(biāo)簽:測(cè)試儀晶體管半導(dǎo)體分立器件
MJE13005D高壓快速開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管英文手冊(cè)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-03-21 標(biāo)簽:晶體管NPN
晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)/測(cè)試儀主要功能,應(yīng)用場(chǎng)景
晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是用于評(píng)估半導(dǎo)體分立器件電氣性能的專(zhuān)業(yè)儀器設(shè)備,其核心功能是對(duì)晶體管的靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行精密測(cè)量與特性分析。以下是系統(tǒng)的關(guān)鍵要素解析:...
東京大學(xué)開(kāi)發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路
據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開(kāi)發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件...
交流電和直流電在電動(dòng)汽車(chē)充電中的應(yīng)用
電動(dòng)汽車(chē)(EV)與燃油汽車(chē)一樣歷史悠久,但直到近期才成為主流。隨著電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)的重大進(jìn)步和政府的大力支持,電動(dòng)汽車(chē)的需求也在日益激增。歐盟2035年禁止...
2025-06-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)晶體管 724 0
BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):精密焊接的智慧之選
在工業(yè)制造向智能化、精細(xì)化轉(zhuǎn)型的浪潮中,焊接工藝的穩(wěn)定性與效率成為企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵指標(biāo)。深圳比斯特自動(dòng)化設(shè)備有限公司推出的BT-550D電動(dòng)智能晶體管系...
2025-06-27 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 107 0
比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):高效焊接,智控未來(lái)
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,焊接設(shè)備的精度與穩(wěn)定性直接決定了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。深圳比斯特自動(dòng)化設(shè)備有限公司推出的BT-550D電動(dòng)智能晶體管系列電阻點(diǎn)焊機(jī),憑借...
2025-06-27 標(biāo)簽:dsp晶體管點(diǎn)焊機(jī) 116 0
英飛凌推出EasyPACK CoolGaN 650V晶體管模塊
隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車(chē)的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢(shì)的持續(xù),預(yù)計(jì)全球?qū)﹄娏Φ男枨髮?huì)快速增長(zhǎng)。
格羅方德鍺硅技術(shù)的發(fā)展歷史和應(yīng)用
20世紀(jì)80年代末至90年代初,在紐約和佛蒙特州這些看似與半導(dǎo)體革命毫無(wú)關(guān)聯(lián)的地方,一場(chǎng)悄無(wú)聲息的半導(dǎo)體變革正悄然興起。即便是最癡迷于半導(dǎo)體的發(fā)燒友,也...
聞泰科技以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)未來(lái)可持續(xù)增長(zhǎng)
研發(fā)創(chuàng)新不僅是企業(yè)行穩(wěn)致遠(yuǎn)的引擎,也是踐行 ESG 理念的關(guān)鍵路徑。聞泰科技將研發(fā)創(chuàng)新融入戰(zhàn)略肌理,勾勒未來(lái)增長(zhǎng)藍(lán)圖,同時(shí)通過(guò)節(jié)能產(chǎn)品推動(dòng)碳減排,力求構(gòu)...
大族數(shù)控?cái)y最新激光解決方案亮相JPCA SHOW 2025
此前,2025年6月4日至6日,大族數(shù)控?cái)y最新激光解決方案重磅亮相日本JPCA SHOW。作為亞洲電子電路產(chǎn)業(yè)的標(biāo)桿盛會(huì),JPCA SHOW2025匯聚...
喜報(bào) |捷捷微電榮獲銳捷“最佳質(zhì)量進(jìn)步獎(jiǎng)”,晶體管品類(lèi)唯一獲獎(jiǎng)供應(yīng)商!
近日,在星網(wǎng)銳捷舉辦的《2024年供應(yīng)商質(zhì)量總結(jié)及2025年質(zhì)量戰(zhàn)路發(fā)布會(huì)》上,江蘇捷捷微電子股份有限公司憑借在產(chǎn)品質(zhì)量管控方面的卓越表現(xiàn),榮獲“最佳質(zhì)...
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