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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件,它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。但是,電力電子行業(yè)中的硅MOSF...
氮化鎵有源相控陣雷達難點 氮化鎵有源相控陣雷達優(yōu)點
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣雷達中,需要高功率的射頻信號來驅(qū)動每個天線元素,這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進行有效的...
5G發(fā)展帶動硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應用發(fā)展廣泛
與傳統(tǒng)的金屬氧化物(LDMOS)半導體相比,硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢十分明顯——提供的有效功率可超過70%,每個單位面積的功率提升了4~6倍數(shù),從而降低整體...
使用寬帶隙技術最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去,從而實現(xiàn)新的市場、應用和產(chǎn)品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體(ST)的電源解決方案...
在PC電源和充電器市場,從去年開始便流行起一個名為GaN(氮化鎵)的概念,并因這項技術的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么,GaN到底是一種怎樣的技術,...
氮化鎵是一種無機化合物,它是一種稀有的金屬氮化物,具有高熔點、高硬度和良好的電學性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件,也可以用于制造磁性...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導體場效應管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點和局限性,下面將詳細介紹這些優(yōu)點和局限性。 優(yōu)...
作為提供不間斷連接的關鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術,通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導體材料,越來越多地...
相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少,因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅...
近年來,隨著移動設備的普及和科技的不斷進步,人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。PD快充和氮化鎵的出現(xiàn),對于滿足人們對于充電速度和電池效能的...
氮化鎵充電器和普通充電器對比各有優(yōu)勢,不能直接判定哪個更好,氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設備,它們在充電速度、安全性、穩(wěn)定性等方面都存在差異...
FLOSFIA公司開發(fā)出了一種廉價制造氧化鎵晶體的方法
FLOSFIA公司的厲害之處,恰恰是克服了這一阻礙新技術發(fā)展的、高成本這一問題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過結(jié)晶的方法獲得。密度...
介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個封裝增加了一個大的冷卻片,用于降低封裝的熱...
氮化鎵是一種化合物,化學式為GaN,由鎵(Ga)和氮(N)兩種元素組成。它是一種化合物晶體,由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結(jié)構和優(yōu)異的物理化學性...
實現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運營成本。
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