基于GaN固態(tài)放大器可實現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計

以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機(jī)載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。

2017-09-18 標(biāo)簽：氮化鎵毫米波 8145 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 8031 0

砷化鎵芯片和氮化鎵芯片制造工藝及優(yōu)缺點分析

砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵 7957 0

功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)

在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...

2021-03-16 標(biāo)簽：雙極晶體管氮化鎵 7483 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7273 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢

2018-08-17 標(biāo)簽：二極管氮化鎵碳化硅 7190 0

小米氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 6911 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6637 0

氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵外延片 6622 0

氮化鎵基礎(chǔ)知識

氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。

2022-08-24 標(biāo)簽：放大器射頻氮化鎵 6612 0