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3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand技術

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存儲芯片是什么存儲芯片的分類及發(fā)展歷史

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一文讀懂3D NAND存儲器進化史

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64層第二代3D NAND存儲產(chǎn)品及解決方案

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探討半導體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應

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基于64層3D NAND技術的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤

更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存，并憑借快速、一致的性能消除存儲瓶頸，降低總體擁有成本。

2018-04-10 標簽：美光科技固態(tài)硬盤 3D NAND 6624 0

市場對于3D NAND的需求有多大?140層3D NAND層數(shù)還會遠嗎?

而且在堆疊層數(shù)增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，4...

2018-06-03 標簽：東芝閃存芯片 3D NAND 6080 0

3D NAND技術工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標準探討

本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標準，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標準和NVMe標準。

2016-10-12 標簽：內(nèi)存 3D NAND 3684 1

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標簽：存儲器 EUV 3d nand 3108 0

SSD容量突破關鍵：3D存儲芯片大揭秘

3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。

2015-06-01 標簽：存儲技術 SSD 3D NAND 2858 0

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術分析

這種存儲技術的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關——這是 NAND 閃存技術發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年，NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度，以...

2023-06-27 標簽：存儲器 3d nand 隨機存取存儲器 2770 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽：NAND 存儲芯片蝕刻技術 2736 0

原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求

技術節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經(jīng)跨越了從納...

2020-06-02 標簽：制造工藝 EUV 3d nand 2699 0

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深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術

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研華提供最新存儲和內(nèi)存全面解決方案！

數(shù)據(jù)安全是研華解決方案的核心。研華SQFlash系列提供全方位保護，包括數(shù)據(jù)加密（TCG-OPAL、FIPS）、數(shù)據(jù)安全擦除和異常斷電保護。

2022-09-02 標簽：閃存技術 3d nand 智慧交通 2248 0

存儲芯片將走向何方？存儲芯片的分類

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半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

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3D NAND的主要制作流程

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3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導電材料，它們在每個...

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