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cvd技術(shù)

從本質(zhì)上分析硅氧負(fù)極循環(huán)壽命更好的原理是：硅氧負(fù)極技術(shù)路線多用氧化亞硅，相較于單質(zhì)硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過(guò)程中發(fā)生的體積膨脹較小，其循環(huán)穩(wěn)...

2022-09-29 標(biāo)簽：CVD 1.4萬(wàn) 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 CVD 集成電路芯片 1.1萬(wàn) 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)為可與應(yīng)用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統(tǒng)配合使用。Nan...

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓邏輯器件 CVD 9810 0

刻蝕工藝基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)析

刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。

2023-02-06 標(biāo)簽：晶圓 SEM 電子顯微鏡 7199 0

半導(dǎo)體FAB中常見(jiàn)的五種CVD工藝

Hello,大家好，今天來(lái)分享下半導(dǎo)體FAB中常見(jiàn)的五種CVD工藝。化學(xué)氣相沉積（CVD）主要是通過(guò)利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...

2025-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FAB CVD 6950 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長(zhǎng)

化學(xué)氣相沉積 (CVD) 能夠生產(chǎn)出兼具高質(zhì)量、高純度及高強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)的材料，因此在半導(dǎo)體行業(yè)非常受歡迎。超高真空化學(xué)氣相沉積涉及相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備和極高的溫...

2018-06-02 標(biāo)簽：CVD 硅基片 5515 0

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。

2023-06-08 標(biāo)簽：邏輯電路 PVD 儲(chǔ)存器 4568 0

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PVD CVD 4527 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，...

2023-12-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4344 0

磁場(chǎng)中的帶電粒子介紹

低頻功率時(shí)，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應(yīng)時(shí)間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標(biāo)簽：電容耦合電磁場(chǎng)CVD 4193 0

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如何實(shí)現(xiàn)mTouch觸摸傳感解決CVD電容檢測(cè)方法的詳細(xì)資料概述立即下載

類別：傳感與控制 2018-06-15 標(biāo)簽：ADC 觸摸傳感 mTouch 1821 0

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CVD與PVD的區(qū)別及比較

CVD與PVD的區(qū)別及比較 (一)選材：化學(xué)蒸鍍－裝飾品、超硬合金、陶瓷物理蒸鍍－高溫回火之工、模

2009-03-06 標(biāo)簽：PVD CVD 2.5萬(wàn) 0

如何通過(guò)CVD實(shí)現(xiàn)單晶石墨烯的批量合成

說(shuō)起石墨烯，幾乎家喻戶曉，其優(yōu)異的機(jī)械和電學(xué)性能引起全世界科學(xué)家們瘋狂的追捧。盡管目前在實(shí)驗(yàn)室中小尺寸的石墨烯單晶制備及其應(yīng)用研究已經(jīng)獲得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，...

2018-03-16 標(biāo)簽：石墨烯 cvd 1.2萬(wàn) 0

接觸孔工藝（Contact Process）

接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一，是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。

2022-11-22 標(biāo)簽：集成電路 SiO2 CVD 9828 0

半導(dǎo)體用大尺寸單晶金剛石襯底制備及加工

金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體，屬于典型的面心立方(FCC)晶體，空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周...

2023-08-08 標(biāo)簽：激光器 SiC AFM 7176 0

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...

2021-08-16 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 CVD 6097 0

旋涂絕緣介質(zhì)（SOD）是什么?

如果是用淀積溫度較低的PECVD，其生成介質(zhì)層的溫度普遍在300-450攝氏度之間，對(duì)于一些溫度敏感的器件，這么高的溫度無(wú)疑是致命的。但是SOD則只需要...

2023-10-22 標(biāo)簽：薄膜 CVD 電介質(zhì) 5208 0

金屬薄膜的制備條件如何

隨著工業(yè)的發(fā)展，金屬薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于社會(huì)生產(chǎn)生活中，如：糖果包裝、藥品膠囊包裝、佛像貼金、以及宮殿裝飾等等。

2022-09-15 標(biāo)簽：PVD 光電顯示 CVD 4314 0

簡(jiǎn)述基于金剛石量子技術(shù)的醫(yī)療成像應(yīng)用

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，量子態(tài)的獨(dú)特性能為開(kāi)發(fā)測(cè)量磁場(chǎng)、溫度和電場(chǎng)等變量的高靈敏傳感器提供了巨大潛力。不過(guò)，至今該技術(shù)的應(yīng)用仍存在局限性，因?yàn)榱孔討B(tài)（量子比特...

2021-06-28 標(biāo)簽：激光晶體管 CVD 4006 0

Novellus正在悄悄地開(kāi)發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬(wàn)一

應(yīng)用，Novellus正在悄悄地開(kāi)發(fā)用于銅的旋轉(zhuǎn)低k，以防萬(wàn)一慕尼黑 - 您認(rèn)為IBM公司周一宣布在0.13微米銅IC中使用旋涂低k電介質(zhì)材料將是Ap...

2020-02-12 標(biāo)簽：CVD 電介質(zhì)華強(qiáng)pcb線路板打樣 3864 0

二氧化釩材料相變的太赫茲光譜與陣列成像

二氧化釩（VO?）材料是一種具有絕緣態(tài)到金屬態(tài)可逆相變特性的材料，在光器件及信息技術(shù)中有非常廣泛的應(yīng)用。

2023-02-23 標(biāo)簽：soc 調(diào)制器傅里葉變換 3419 0

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PCB就是印制電路板又稱印制線路板，即英文Printed circuit board的縮寫(xiě)，是電子原件的承載部分，是電子元器件電氣連接的提供者，PCB根據(jù)其基板材料的不同而不同。
芯和半導(dǎo)體

芯和半導(dǎo)體

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芯和半導(dǎo)體是國(guó)產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案，致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　芯和半導(dǎo)體自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA產(chǎn)品和方案在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上不斷得到驗(yàn)證，并在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，有效聯(lián)結(jié)了各大IC設(shè)計(jì)公司與制造公司。
熱設(shè)計(jì)

熱設(shè)計(jì)

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熱設(shè)計(jì)是隨著通訊和信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而出現(xiàn)的一個(gè)較新的行業(yè)，在通訊、安防、PC、汽車、LED以及逆變器等行業(yè)中越來(lái)越被重視，成為產(chǎn)品研發(fā)中不可缺少的重要領(lǐng)域。熱設(shè)計(jì)一般由前期的仿真和后期的測(cè)試驗(yàn)證來(lái)完成。當(dāng)前的主流的仿真軟件有Flotherm， Icepak，F(xiàn)loEFD， 6SigmaET等
Virtuoso

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靈動(dòng)微電子

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集成電路設(shè)計(jì)

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集成電路設(shè)計(jì)（Integrated circuit design， IC design），亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)（VLSI design），是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對(duì)電子器件（例如晶體管、電阻器、電容器等）、器件間互連線模型的建立。
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可靠性測(cè)試

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可靠性測(cè)試就是為了評(píng)估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi)，在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲(chǔ)存等所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理。
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LDS

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TCXO

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TCXO（Temperature Compensate X‘tal （crystal） Oscillator） TCXO是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種。1.TCXO的溫度補(bǔ)償方式，溫度補(bǔ)償型石英晶體諧振器，具有精度高等特點(diǎn)。
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芯華章聚集全球EDA行業(yè)精英和尖端科技領(lǐng)域人才，以智能調(diào)試、智能編譯、智能驗(yàn)證座艙為三大基座，提供全面覆蓋數(shù)字芯片驗(yàn)證需求的五大產(chǎn)品線。
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移動(dòng)開(kāi)發(fā)也稱為手機(jī)開(kāi)發(fā)，或叫做移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)，移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)等。是指以手機(jī)、PDA、UMPC等便攜終端為基礎(chǔ)，進(jìn)行相應(yīng)的開(kāi)發(fā)工作，由于這些隨身設(shè)備基本都采用無(wú)線上網(wǎng)的方式，因此，業(yè)內(nèi)也稱作為無(wú)線開(kāi)發(fā)。
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后端設(shè)計(jì)

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混合集成電路

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深南電路

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深南電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱“深南電路”），成立于1984年，注冊(cè)資本4.89億元，總部坐落于中國(guó)廣東省深圳市，主要生產(chǎn)基地位于中國(guó)深圳、江蘇無(wú)錫及南通，業(yè)務(wù)遍及全球，在北美設(shè)有子公司，歐洲設(shè)有研發(fā)站點(diǎn)。
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　　LED開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的電子器件主要為：LED二極管、IGBT和MOSFET。SCR在開(kāi)關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用，GTR驅(qū)動(dòng)困難，開(kāi)關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET取代。
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杭州廣立微電子股份有限公司是領(lǐng)先的集成電路EDA軟件與晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商，公司專注于芯片成品率提升和電性測(cè)試快速監(jiān)控技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外多家大型集成電路制造與設(shè)計(jì)企業(yè)的重要合作伙伴。
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射頻簡(jiǎn)稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于1000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。有線電視系統(tǒng)就是采用射頻傳輸方式的
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去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，一般都安置在元件附近的電源處，用來(lái)濾除高頻噪聲，使電壓穩(wěn)定干凈，保證元件的正常工作。去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容
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