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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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受拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)損耗的影響,半橋硬開關(guān)電路的重量、體積、噪聲及功率等級等技術(shù)指標(biāo)在一定程度上受到限制,因此中大功率開關(guān)電源的主電路基本都采用全橋電路結(jié)構(gòu)。
飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL產(chǎn)品介紹
國產(chǎn)IGBT單管新品,采用飛虹半導(dǎo)體第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計,能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。使產(chǎn)品具...
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動。開關(guān)動作時,上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時...
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開關(guān) 658 0
自“雙碳”目標(biāo)確定以來,我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...
浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前,最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實現(xiàn)。...
新能源汽車焊接材料五大失效風(fēng)險與應(yīng)對指南——從焊點看整車可靠性
本文從廠家視角解析新能源汽車焊接封裝材料四大失效模式:機械失效(熱循環(huán)與振動導(dǎo)致焊點疲勞)、熱失效(高溫下焊點軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電...
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動器,專門針對驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
ADuM4136單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4136是一款單通道柵極驅(qū)動器,專門針對驅(qū)動絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入...
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
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