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標簽 > nmos管
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MOS管常需要偏置在弱反型區(qū)和中反型區(qū),就是未來在相同的偏置電流下獲得更高的增益。目前流行的MOS管模型大致可分為兩類,本文將詳解MOS管模型的類型和N...
2018-02-23 標簽:nmos管 5.9萬 0
場效應(yīng)管原理通俗理解 場效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場效應(yīng)管是做什么用的
場效應(yīng)管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標簽:開關(guān)電源FET場效應(yīng)晶體管 2.8萬 0
全面解析電機驅(qū)動芯片A4950及H橋電路,主要分為以下幾個方面。
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢,C...
當你使用3.3V的單片機的時候,電平轉(zhuǎn)換就在所難免了,經(jīng)常會遇到3.3轉(zhuǎn)5V或者5V轉(zhuǎn)3.3V的情況。
2017-11-17 標簽:nmos管 1.3萬 0
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動ic市場和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場上兩個主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
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