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標簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元,...
富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上滿足“定制化”需求?
各種系統(tǒng)對存儲器讀寫速度、可重復(fù)讀寫次數(shù)、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同,存儲技術(shù)正在走向細分……
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點
ReRAM之前曾經(jīng)因為HPE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
隨著AI功能逐漸向邊緣端發(fā)展,它們將推動更多的AI應(yīng)用,而且這些應(yīng)用將越來越需要更強大的分析能力和智能,以便讓系統(tǒng)在本地即可做出操作決策,無論是部分還是...
全面介紹新型存儲技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6916 0
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中,處理與存儲單元是分離的。由于存算分離,AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大,會導(dǎo)致功耗大大增加,也就是存儲墻。
多倫多—有時問題可以變成它自己的解決方案。 對于CEA-Leti科學家而言,這意味著先前被視為“非理想”的電阻性RAM(ReRAM)器件的特性可能是克服...
新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統(tǒng)存儲器來說,具有很多方面獨特的優(yōu)勢,能夠在計算系統(tǒng)層級實現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。
ReRAM 在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域還是前景可觀的,但在存儲級內(nèi)存領(lǐng)域,這項技術(shù)將面臨很大的競爭。Applied 的 Ping 說:“它面臨著與已有解決方案的競...
富士通分享三大存儲技術(shù) 各具獨特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲)用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
在存儲器的競爭格局中,除了FRAM,不得不提的另外兩個產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡略地講,F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄;ReRAM可替代大容量EEPROM;...
專注ReRAM新型存儲器,昕原半導(dǎo)體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導(dǎo)體存儲技術(shù)公司「昕原半導(dǎo)體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領(lǐng)投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲...
2021-04-06 標簽:reram昕原半導(dǎo)體 8474 0
字節(jié)跳動的進與退:低調(diào)發(fā)起MR市場攻勢,TikTok國際市場受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)通過擴大投資版圖,尋找第二增長曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動投資了昕原半導(dǎo)體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標簽:虛擬現(xiàn)實MRreram 6379 0
MRAM PCM還是ReRAM 下一代存儲器非常值得關(guān)注
存儲器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰(zhàn)存儲器制造商選擇改變計算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點...
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對AI應(yīng)用進一步發(fā)展...
作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,...
ReRAM存儲器助物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備降低能源消耗
未來如果該技術(shù)成為全球物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案,將有助除去運算與數(shù)據(jù)儲存之間的界線,有利于以數(shù)據(jù)為中心的運算架構(gòu)發(fā)展。
2018-07-17 標簽:存儲器物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 4107 0
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