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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一...
氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤(pán)點(diǎn)
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
氮化鎵開(kāi)關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號(hào)的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它由四個(gè)電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
ROHM借助更合適的同步整流技術(shù)滿足市場(chǎng)需求
如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無(wú)法打開(kāi)，且電流會(huì)流過(guò)體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過(guò)熱。
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...
氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。
電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。...
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮?dú)夂徒饘冁壏磻?yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵...
2024-01-10 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 1759 0
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...
利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計(jì)中，初級(jí)MOSFET和有源鉗位開(kāi)關(guān)以互補(bǔ)方式進(jìn)行工作（因此這些鉗位電路被稱(chēng)為“互補(bǔ)模式有源鉗位”電路）。
充電頭網(wǎng)拿到了優(yōu)勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統(tǒng)充電器不同的一點(diǎn)是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢(mèng)寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
GaN-on-Si功率技術(shù):器件和應(yīng)用
在過(guò)去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應(yīng)用的半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1712 0
在新能源汽車(chē)方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。
2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1702 0
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
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