如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？

氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國(guó)防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

2024-05-19 標(biāo)簽：晶體管ASM氮化鎵 1674 0

GaN的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有...

2022-09-20 標(biāo)簽：氮化鎵GaN可靠性 1661 0

一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)

我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標(biāo)簽：工藝氮化鎵蝕刻 1632 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

2023-09-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1629 0

高功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...

2023-05-19 標(biāo)簽：放大器RF氮化鎵 1594 0

硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充

拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉(zhuǎn)換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片充電氮化鎵 1583 0

淺談雷達(dá)技術(shù)的幾個(gè)發(fā)展趨勢(shì)

氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來(lái)影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標(biāo)簽：傳感器fpga氮化鎵 1552 0

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 1534 0

耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵晶體管

高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵，因?yàn)槌笠?guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會(huì)迅速增長(zhǎng)。然而，電力電子行業(yè)已經(jīng)達(dá)到了硅...

2022-12-19 標(biāo)簽：晶體管耦合器氮化鎵 1509 0

英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案

2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...

2024-10-12 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 1502 0

高效率數(shù)字反激式氮化鎵快充原理與應(yīng)用

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開(kāi)始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體usb氮化鎵 1493 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源適配器SiC 1481 0

氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率

氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路

2024-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵電源IC 1478 0

車規(guī)級(jí)氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)？

作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1474 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1472 0

射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇

在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...

2023-02-10 標(biāo)簽：功率放大器晶圓氮化鎵 1469 0

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1462 0