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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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到2030年,10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯,培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才,我國(guó)制造業(yè)可靠性整體...
45W氮化鎵快充全套方案!采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒噪娐吩O(shè)計(jì)很簡(jiǎn)潔,降低設(shè)計(jì)和加工成本,整套方案性價(jià)比不錯(cuò),且各輸入輸出電壓和各個(gè)負(fù)載段都擁有極佳的效率,峰值效率高達(dá)93.6...
2023-06-19 標(biāo)簽:控制器電路設(shè)計(jì)氮化鎵 1164 0
過去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí),不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對(duì)垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向?yàn)?00)基座上,成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起,充電器的功率密度不斷提升,氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入,使得PD快充可以做更小體積,縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...
三菱電機(jī)開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機(jī)采用單個(gè)GaN功率放大器實(shí)現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行 將有助于實(shí)現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...
“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計(jì)方案
當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動(dòng)性和極端操作環(huán)境的限制時(shí),有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...
X射線衍射法是根據(jù)X射線衍射原理來精確測(cè)定物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)和應(yīng)力的檢測(cè)方法,測(cè)試方法簡(jiǎn)單、方便、測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確,可以準(zhǔn)確判斷材料結(jié)晶質(zhì)量好壞,因此是一種非常...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具...
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管:高性能、高效率、高可靠性(上)
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,共將分為(上)(下)兩期,包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
在現(xiàn)代汽車中,增加的重量和更寬的前輪胎使無輔助轉(zhuǎn)向變得不切實(shí)際,因?yàn)閷?duì)操作員的阻力增加。因此,幾年前,采用了電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。一開始,對(duì)駕駛員的輔助是通過液...
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅(GaN on Si)晶體管預(yù)計(jì)的低成本,甚至還有可能使IGBT器件取代它...
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本,進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。
2012-05-31 標(biāo)簽:歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1079 0
氮化鎵基Micro LED新突破可實(shí)現(xiàn)更高顯示分辨率與調(diào)制速率
氮化鎵(GaN)基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見光通信等方面有著廣泛的應(yīng)用前景,吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED,Micr...
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
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