氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門話題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車（EV）車載充電器和電動(dòng)汽車（EV）充電站等設(shè)計(jì)...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器FET 1058 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 1054 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體 氮化鎵半導(dǎo)體在產(chǎn)品上的具體應(yīng)用

氮化鎵元件一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)在于它極快的開關(guān)速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時(shí)由于沒有體二極管pn結(jié)，因此在硬開關(guān)中，沒有相關(guān)的反向...

2023-06-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵無(wú)刷直流電機(jī) 1042 0

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...

2023-04-03 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)氮化鎵 1041 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1035 0

慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協(xié)會(huì)正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 1031 0

多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件

四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的...

2023-02-10 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵相控陣 1027 0

如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序GaN 1024 0

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...

2023-02-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1019 0

基于氮化鎵開關(guān)器件的高頻小體積照明電源方案

PFC部分使用安森美的NCL2801產(chǎn)品，SOIC-8封裝，外圍線路簡(jiǎn)單。FB腳為輸出電壓采樣信號(hào)輸入端，作為反饋信號(hào)輸入端的同時(shí)還有輸出電壓OVP功能...

2023-12-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源控制器氮化鎵 1006 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵GaN 994 0

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件

面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。

2023-04-28 標(biāo)簽：晶體管FET氮化鎵 975 0

一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車射頻功率器件 956 0