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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過壓保護(hù)(OVP)、...
氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動電源-常規(guī)雙極驅(qū)動程序 GaN GIT （G...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 785 0
具有集成式驅(qū)動器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
Analog Devices Inc. ADPA1107 GaN寬帶功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADPA1107氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器在4.8GHz至6.0GHz帶寬內(nèi)提供45.0dBm (35W...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...
2025-02-07 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 767 0
PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W
PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢，在于...
氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗(yàn)來看，您必須至少對其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，...
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯設(shè)計
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
氮化鎵的市場在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 其中，高開關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...
基于D1A32 GaN器件設(shè)計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
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