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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術(shù)手冊
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計GaN充電器時，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款 4kW 連續(xù)導通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C...
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
TIDA-050074：140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計
此參考設(shè)計是基于氮化鎵 （GaN） 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和輸出...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態(tài)。
硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
HMC8415 40W（46 dBm），9GHz至10.5GHz，GaN功率放大器技術(shù)手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 （GaN） 功率放大器，可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W （46 dBm） 的...
前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學晶體管...
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護與過壓保護協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC，工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益，+44.5 dBm飽和輸出...
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠...
谷底鎖定模式是一種應用于開關(guān)電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
氮化鎵單片雙向開關(guān)：電力電子技術(shù)的下一代突破
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?；跈M向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢，可有效...
2025-04-09 標簽：電力電子氮化鎵雙向開關(guān) 420 0
當設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對于保護設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
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