完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章:1589個(gè) 瀏覽:117982次 帖子:77個(gè)
集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù),例如 X 波段 (8–12 GHz) 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣,當(dāng)老年人離開(kāi)年輕人的舞臺(tái)時(shí),Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來(lái),隨...
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,在沒(méi)有其它輔助的...
影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些
MICLEDI認(rèn)為,其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前,相較用于戶外的AR眼鏡,用于室內(nèi)或較暗場(chǎng)景的...
第三代半導(dǎo)體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流?
氮化鎵(GaN)功率芯片將多個(gè)電力電子功能集成到一顆GaN芯片中,可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下,GaN功率芯片可以使先進(jìn)...
支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
德州儀器的默認(rèn)過(guò)流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù);這意味著,若在器件中檢測(cè)到任何過(guò)流故障,F(xiàn)ET將安全關(guān)斷,并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...
二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...
TI分享五大妙招,輕松應(yīng)對(duì)電源挑戰(zhàn)
“設(shè)計(jì)人員必須知道如何正確且安全地構(gòu)建這些產(chǎn)品,這也需要更高的專注度和更加嚴(yán)格的要求,因?yàn)橥ǔTO(shè)計(jì)人員面臨的不僅僅是一個(gè)電氣問(wèn)題,”TI的電源管理專家D...
2016-07-21 標(biāo)簽:TI氮化鎵電源管理設(shè)計(jì) 890 0
GaN開(kāi)始為人所知是在光電LED市場(chǎng),廣為人知?jiǎng)t是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)。但實(shí)際上,GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說(shuō)是新能源汽車市場(chǎng),而非消...
高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢(shì)
從智能手機(jī)和電動(dòng)汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心,電源管理已日益成為我們?nèi)粘J褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年,高效電源管理常常被其他設(shè)計(jì)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開(kāi)關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說(shuō)是...
集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸,實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí),集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
2023-02-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 866 0
氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8,集成完備的保護(hù)功能:VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、...
InnoSwitch3-AQ無(wú)需12V電源就可助力電動(dòng)汽車高效運(yùn)行
盡管車身裝備了最先進(jìn)的電池組,但目前的常規(guī)電動(dòng)汽車仍然使用鉛酸電池在電機(jī)關(guān)閉時(shí)為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。
2023-10-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車鉛酸電池氮化鎵 845 0
隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)顯著增長(zhǎng),并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 841 0
隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用,對(duì)頻率要求更高,據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對(duì)磁芯來(lái)說(shuō),您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會(huì)滿足需求?對(duì)磁芯的選材有什么要求?
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今,以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用,它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力,以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中,氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用,如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線,推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源芯片 829 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |