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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
基于D1A32 GaN器件設(shè)計(jì)的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著...
2025-06-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 681 0
為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
2024-02-29 標(biāo)簽：CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 680 0
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景中，進(jìn)一步...
如今，越來越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級(jí)
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
通過硅和GaN實(shí)現(xiàn)高性能電源設(shè)計(jì)
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...
基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)...
2023-02-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 657 0
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級(jí)增加U8609料號(hào)，同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
2025-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率開關(guān)管快充芯片 629 0
GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流...
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動(dòng)器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動(dòng)器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器...
2025-07-06 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電平轉(zhuǎn)換器氮化鎵 601 0
TI DRV7308 具有保護(hù)和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 450V 直流電源軌的三相 ...
GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性
報(bào)告內(nèi)容包含： 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
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