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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機身設計，配有固定美規(guī)插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉換應用中實現(xiàn)更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以為電信電源等應用提供高效設計；電動汽車充電；加熱，通風和空調; 電器；和消費電源適配器。在工業(yè)應用中，氮化鎵取...
業(yè)界正在考慮使用新的半導體工藝?；诘墸℅aN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優(yōu)點？
在以前，很多手機充電器都會用到安規(guī)Y電容，不過用的都是插件形式的，現(xiàn)在情況明顯不一樣
什么是第三代半導體技術 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結構分析
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在...
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。
在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設計器件選型、電源調試以及學術研究時，都需要對其驅動波形進行測試，這時大多數(shù)工程...
激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案，以其高效、節(jié)能的特性，為智能電網(wǎng)提供突破性支持。 該方案采用AC-DC無橋...
納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護...
我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術進步很快，已經(jīng)有性能很不錯的貼片式Y電容出現(xiàn)，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y安規(guī)電容器，已經(jīng)被大量...
氮化鎵（GaN）技術如今在電力電子行業(yè)風靡一時，這種寬禁帶半導體能夠實現(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢正...
對于那些堅持使用經(jīng)典放大器拓撲結構的人來說，他們的要求將集中在準確的音頻再現(xiàn)上，而很少考慮解決方案的整體電氣效率。雖然這在家庭音頻環(huán)境中是完全合理的，但...
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